外延片（EPI）

外延片(EPI)指的是在襯底上生長出的半導體薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三個部分構成。現在主流的外延材料是氮化鎵(GaN)，襯底材料主要有藍寶石。硅，碳化在三種，量子阱般為5個通常用的生產工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD)，這是LED產業的核心部分，需要較高的技術以及較大的資金投入。
目前在硅襯底上可以做普通外延層，多層結構外延層，超高阻外延層，超厚外延層，外延層電阻率可達一千歐姆以上，導電類型為：P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多種類型。
硅外延晶片是用于制造廣泛的半導體器件的核心材料，在消費、工業、軍事和空間電子學中都有應用。